聲明：本文為《現(xiàn)代防御技術(shù)》雜志社供《中國(guó)軍工網(wǎng)》獨(dú)家稿件。未經(jīng)許可，請(qǐng)勿轉(zhuǎn)載。

作者簡(jiǎn)介：李輝（1964-），女，北京人，研究員，學(xué)士，主要從事精確制導(dǎo)技術(shù)情報(bào)研究工作。
李輝，王子濱

摘要：研制紅外凝視成像導(dǎo)引頭的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，是要制造大面積的性能均勻的紅外焦平面陣列。近年來(lái)，從能帶工程的觀點(diǎn)出發(fā)，使用以現(xiàn)代薄膜技術(shù)制造的多量子阱超晶格材料，采用微電子技術(shù)研制的多量子阱紅外焦平面陣列的工作進(jìn)展很快，備受人們關(guān)注。了解有關(guān)的發(fā)展背景、基本原理、先進(jìn)技術(shù)和研制實(shí)例是十分有益的。
關(guān)鍵詞：量子阱；紅外焦平面陣列；紅外成像制導(dǎo)
中圖分類號(hào)：TN214文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A文章編號(hào)：1009086X（2006）01005605

Development of multiquantum wells infrared focal plane array
LI Hui1，Wang Zibin2
(1The 208th Institute of the Second Research Academy of CASIC, Beijing 100854, China;
2The 25th Institute of the Second Research Academy of CASIC, Beijing 100854, China)

Abstract:A crucial technology for staring IIR seeker is to make IRFPA with large scale and uniform property. Of late years, based on bandgap engineering, developing of MQWIRFPA is rapid and is followed with interest. MQWIRFPA is made of MQW superlattice material by microelectronic technique. And the MQW superlattice material is made by modern thin film technology. It is profitable to know related background of the development, basic principles, advanced technologies and examples of the development.
Key words:Quantum well； Infrared focal plane array (IRFPA)；Infrared imaging guidance

1引言
20世紀(jì)80年代末，美國(guó)和西歐研制出紅外凝視成像制導(dǎo)導(dǎo)彈，其典型代表有英國(guó)和美國(guó)聯(lián)合研制的先進(jìn)近程空對(duì)空導(dǎo)彈（ASRAAM）以及美國(guó)的響尾蛇AIM-9X空對(duì)空導(dǎo)彈等。到90年代以大氣層外輕型射彈（LEAP）的研制為代表，美國(guó)的動(dòng)能攔截彈技術(shù)的發(fā)展進(jìn)入第2代。第2代動(dòng)能攔截彈技術(shù)最重要的特點(diǎn)是實(shí)現(xiàn)了動(dòng)能殺傷飛行器（KKV）關(guān)鍵設(shè)備小型化，以及在末制導(dǎo)中采用了紅外凝視成像導(dǎo)引頭。20世紀(jì)末，美國(guó)國(guó)防部開始發(fā)展更符合實(shí)戰(zhàn)需要的第3代動(dòng)能攔截彈技術(shù)，如戰(zhàn)區(qū)高空區(qū)域防御（THAAD）系統(tǒng)等。這種新一代動(dòng)能攔截彈技術(shù)的特點(diǎn)是要具有自主識(shí)別真假目標(biāo)的能力，需要采用包括雙色紅外凝視成像在內(nèi)的多波段復(fù)合制導(dǎo)和智能化技術(shù)。
在紅外凝視成像導(dǎo)引頭中，對(duì)目標(biāo)和背景成像是用紅外探測(cè)器面陣充滿物鏡焦平面視場(chǎng)的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)的，就是使紅外探測(cè)器單元與系統(tǒng)觀察范圍內(nèi)的目標(biāo)和背景上的單元一一對(duì)應(yīng)。也就是說(shuō)，紅外凝視成像導(dǎo)引頭要使用大面積的特性均勻的紅外焦平面陣列（IRFPA）。目前由硅化鉑、銻化銦和碲鎘汞等材料制造IRFPA的技術(shù)已經(jīng)成熟，同時(shí)人們還在尋找各種新材料，研制特性更理想的IRFPA。其中以多量子阱紅外焦平面陣列（MQWIRFPA）格外引人注目。
2多量子阱（MQW）概念及其相關(guān)原理和技術(shù)21能帶工程與MQW結(jié)構(gòu)［1~3］
晶體管發(fā)明幾十年來(lái)，人們通過(guò)在半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)的方法研制出各種類型的半導(dǎo)體器件和集成電路，其特性主要是由半導(dǎo)體內(nèi)的電場(chǎng)分布和載流子分布決定的，也就是由雜質(zhì)分布決定的，因此這種利用摻雜工藝制造器件的方法也稱為雜質(zhì)工程。在半導(dǎo)體中摻雜的方法有雜質(zhì)擴(kuò)散、雜質(zhì)離子注入和摻雜外延生長(zhǎng)等方法。但該方法是在自然晶體上利用摻雜形成各種器件，只能改變能帶的形狀，不能改變能帶的結(jié)構(gòu)。另外，從決定器件特性的泊松方程和連續(xù)性方程來(lái)看，僅僅依靠摻雜方法改變器件特性也是不方便的。所以，利用雜質(zhì)工程來(lái)制造器件時(shí)，有很大的局限性。
1970年，美國(guó)IBM公司的江崎和朱兆祥首次在GaAs半導(dǎo)體上做出了超晶格結(jié)構(gòu)。此后，半導(dǎo)體超晶格的研制工作得到了迅速的發(fā)展，為半導(dǎo)體器件的研制開辟了一條嶄新的道路。超晶格材料是用現(xiàn)代薄膜生長(zhǎng)技術(shù)制成的一種新型材料，它是在自然界中從未存在過(guò)的一種全新的人工制造的晶體。超晶格是由2種不同成分的半導(dǎo)體材料以薄層的形式交替排列而成，每一薄層的厚度只有1~10 nm，薄層的數(shù)目可以達(dá)到幾百甚至更多。超晶格實(shí)際上是由許許多多半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)連接而成的，只是由于每一薄層厚度非常小，因而這些異質(zhì)結(jié)不再是互相孤立的，從整體上就出現(xiàn)了一些單個(gè)異質(zhì)結(jié)所不具備的新的特性。
現(xiàn)代防御技術(shù)·探測(cè)跟蹤技術(shù)李輝，王子濱：多量子阱紅外焦平面陣列研制進(jìn)展現(xiàn)代防御技術(shù)2006年第34卷第1期超晶格中人為的周期性結(jié)構(gòu)使它的能帶結(jié)構(gòu)也出現(xiàn)相應(yīng)的周期性，表現(xiàn)為禁帶時(shí)窄時(shí)寬的周期性。于是，可以使用各種超晶格材料，利用它所具有的不同的能帶結(jié)構(gòu)，制造出符合特殊需要的各種新型超晶格器件。也可以說(shuō)，半導(dǎo)體器件的研制工作從此由雜質(zhì)工程進(jìn)入能帶工程這個(gè)更廣闊的新天地。
超晶格可以有多種形式的結(jié)構(gòu)。如果窄禁帶材料（它形成勢(shì)阱）的寬度很小，可以和電子的德布羅意波長(zhǎng)相比，而寬禁帶材料（它形成勢(shì)壘）的寬度較大，使兩個(gè)相鄰勢(shì)阱中的電子波函數(shù)不能相互耦合，則這種超晶格稱為多量子阱結(jié)構(gòu)。目前，MQWIRFPA主要采用GaAs/Al GaAs超晶格材料。
22現(xiàn)代薄膜生長(zhǎng)技術(shù)［1～3］
超晶格材料的薄層厚度基本上是原子間距的數(shù)量級(jí)，要實(shí)現(xiàn)這種具有微觀尺度上的多層結(jié)構(gòu)，并且相鄰薄層之間不允許有不同成分之間的混雜，只有采用現(xiàn)代薄膜生長(zhǎng)技術(shù)才能實(shí)現(xiàn)。現(xiàn)代薄膜生長(zhǎng)技術(shù)主要有液相外延（LPE）、金屬有機(jī)化學(xué)汽相淀積（MOCVD）和分子束外延（MBE）等技術(shù)。
液相外延就是讓單晶襯底在飽和溶液或過(guò)飽和溶液中生長(zhǎng)一層取向和襯底一致的單晶薄層，在結(jié)構(gòu)上它是原來(lái)單晶的延續(xù)，但材料組分可以不同。液相外延是一種比較簡(jiǎn)單可靠的生長(zhǎng)方法，它的優(yōu)點(diǎn)是容易控制和容易避免沾污，但在生長(zhǎng)薄層時(shí)在技術(shù)上有一定難度。即使這樣，用液相外延也做出了層厚為幾十埃的GaAs/Al GaAs超晶格結(jié)構(gòu)。以化學(xué)汽相淀積為基礎(chǔ)發(fā)展起來(lái)的金屬有機(jī)化學(xué)汽相淀積技術(shù)，用金屬有機(jī)物三甲基鎵和三甲基鋁作為Ⅲ族元素Ga和Al的源，氫化砷作為Ⅴ族元素As的源，做出了層厚為幾十埃的GaAs/Al GaAs超晶格結(jié)構(gòu)。
分子束外延是后來(lái)發(fā)展起來(lái)的一種最先進(jìn)的外延生長(zhǎng)技術(shù)，它是在超高真空系統(tǒng)中把源的原子束直接射向襯底，在襯底上凝結(jié)生長(zhǎng)外延層。它的生長(zhǎng)率很慢，生長(zhǎng)溫度很低，它可以在原子的尺度上控制外延層的厚度和摻雜。用分子束外延技術(shù)可以生長(zhǎng)出厚度僅為1~2個(gè)原子層，均勻性很好的超晶格結(jié)構(gòu)。由于外延層的化學(xué)成分和摻雜劑的濃度都可以方便地由源成分的配比加以控制，使用分子束外延能夠制造出各種不同結(jié)構(gòu)的超晶格材料。
23MQW探測(cè)元特性［1～3］
在用GaAs/Al GaAs超晶格材料做成的MQWIRFPA中，GaAs是量子阱，Al GaAs是勢(shì)壘。在GaAs量子阱中形成分立的子能級(jí)。MQWIRFPA受到紅外輻射的時(shí)候，量子阱中的電子從子能級(jí)受到激發(fā)并在電場(chǎng)作用下形成光電流的微觀過(guò)程很復(fù)雜，這需要用量子力學(xué)來(lái)描述。但是，從宏觀上來(lái)說(shuō)，我們可以用輸出信號(hào)電流和噪聲電流來(lái)描述MQW探測(cè)元特性。通過(guò)簡(jiǎn)單推導(dǎo)可以得到：
信號(hào)電流S=eφηG,
噪聲電流In＝4eIG1－1〖〗2NWG,
式中：e是電子電荷；φ是入射光子數(shù)；η是量子效率，是入射光波長(zhǎng)的函數(shù)；G是光電導(dǎo)增益；I是通過(guò)探測(cè)元的直流電流，NW是探測(cè)元中量子阱數(shù)目。
對(duì)于實(shí)際情況，信噪比S〖〗In≈η〖〗2eG〖〗I對(duì)于NW=40和G=0.25的典型情況，用此近似式計(jì)算信噪比帶來(lái)的誤差約為5%。I中包括光電流和漏電流。在工作溫度比較低和比較大的情況下，光電流占優(yōu)勢(shì)，在這種情況下：S〖〗In≈η〖〗2 由此可見，這個(gè)時(shí)候量子效率η是唯一重要的參數(shù)。
24紅外入射耦合方式［1，2，4］
從前面的分析可以知道，要想提高M(jìn)QWIRFPA的信噪比，就要提高量子效率η，而η與紅外入射光的方向有關(guān)。MQW紅外探測(cè)器的一個(gè)重要特點(diǎn)，是它的光吸收強(qiáng)度正比于入射光子垂直于量子阱的電場(chǎng)分量。也就是說(shuō)，垂直于量子阱入射的光子，由于它們的電場(chǎng)完全處于量子阱平面內(nèi)，它們不會(huì)被吸收。雖然由于有二級(jí)效應(yīng)發(fā)生，可能會(huì)出現(xiàn)弱吸收。一種解決辦法是想方設(shè)法讓紅外入射光與量子阱成45°角，例如讓紅外光入射面與量子阱平面成45°角。由于入射面是一個(gè)拋光面，實(shí)驗(yàn)表明紅外入射耦合不夠均勻。另外一種解決辦法是采用衍射柵。
為了把垂直入射的光子的方向改變?yōu)橛欣谖盏慕嵌龋梢栽谔綔y(cè)器另一端制造一個(gè)衍射柵。衍射柵有金屬衍射柵和介質(zhì)衍射柵兩種。金屬衍射柵的制造，是先在量子阱材料表面蒸發(fā)上一層金屬薄膜，然后采用光刻技術(shù)刻蝕出衍射柵。介質(zhì)柵的制造，是采用光刻技術(shù)在量子阱材料表面上直接刻蝕出衍射柵。衍射柵的結(jié)構(gòu)有線性柵、二維柵、隨機(jī)柵等各種形式。
3MQWIRFPA研制實(shí)例
美國(guó)陸軍研究實(shí)驗(yàn)室的W.A.Beck等人［3］就曾經(jīng)用GaAs/Al GaAs超晶格材料研制出較大陣列規(guī)模的256×256 MQWIRFPA和截止波長(zhǎng)為149 μm的128×128 MQWIRFPA，表1和表2分別給出它們的一些重要參數(shù)。
表1256×256 MQWIRFPA相關(guān)參數(shù)
Table 1Properties of 256×256 MQWIRFPA
參數(shù)名稱〖〗參數(shù)值陣列規(guī)模〖〗256×256像元間距〖〗38 μm×38 μm像元尺寸〖〗28 μm×28 μm光學(xué)耦合〖〗隨機(jī)柵峰值波長(zhǎng)〖〗8.5 μm截止波長(zhǎng)（50%）〖〗8.9 μm非均勻性〖〗0.05%量子效率〖〗6.9%探測(cè)率D*（70 K）〖〗2.3×1011 cm·Hz1/2·W-1噪聲等效溫差NEDT（70 K）〖〗40 mK
表2128×128 MQWIRFPA相關(guān)參數(shù)
Table 2Properties of 128×128 MQWIRFPA
參數(shù)名稱〖〗參數(shù)值陣列規(guī)模〖〗128×128像元間距〖〗50 μm×50 μm像元尺寸〖〗38 μm×38 μm光學(xué)耦合〖〗隨機(jī)柵峰值波長(zhǎng)〖〗14.2 μm截止波長(zhǎng)（50%）〖〗14.9 μm非均勻性〖〗0.2%量子效率〖〗3%探測(cè)率D*（55 K）〖〗1.6×1010 cm·Hz1/2·W-1噪聲等效溫差NEDT（55 K）〖〗30 mK美國(guó)噴氣推進(jìn)實(shí)驗(yàn)室的S.D.Gunapala等人［5］用GaAs/Al GaAs超晶格材料能夠做出工作波長(zhǎng)從6 μm到25 μm的各種大陣列規(guī)模、特性均勻的MQWIRFPA。例如他們研制的10~16 μm寬帶640×512 GaAs/Al GaAS MQWIRFPA，像元間距為25 μm，像元實(shí)際尺寸為23 μm×23 μm。探測(cè)器陣列是由33層GaAs和把它們隔開的Al GaAs層組成，每個(gè)Al GaAs層厚度為575。每個(gè)GaAs層中包括3個(gè)量子阱，每個(gè)量子阱的厚度不同，它們響應(yīng)的峰值波長(zhǎng)分別為13，14和15 μm。3個(gè)量子阱之間的Al GaAs勢(shì)壘厚度為75。在所有的量子阱和陣列兩端的接觸層中都摻入Si，提供導(dǎo)電載流子。探測(cè)器陣列上面做有隨機(jī)反射器，隨機(jī)反射器上覆蓋Au/Ge和Au，用作歐姆接觸和反射面。探測(cè)器陣列采用的硅讀出電路是640×512 CMOS多路轉(zhuǎn)換器，它們之間通過(guò)銦柱連接起來(lái)，形成混合結(jié)構(gòu)。
圖1，圖2和圖3分別給出經(jīng)測(cè)試得到的這個(gè)10~16 μm寬帶640×512 MQWIRFPA的響應(yīng)率R與波長(zhǎng)、探測(cè)率D*與溫度和噪聲等效溫度NEDT與溫度之間的曲線圖。此外，測(cè)試得到它的量子效率為9.5%。
俄羅斯科學(xué)院西伯利亞分院半導(dǎo)體物理研究所［6］用GaAs/  Al GaAs超晶格材料制造MQWIRFPA。像元間距為50 μm，像元實(shí)際尺寸為40 μm×40 μm。他們是采用50個(gè)周期的GaAs勢(shì)阱和Al GaAs勢(shì)壘結(jié)構(gòu)，加上衍射柵。陣列兩側(cè)是1 μm厚的摻Si的GaAs導(dǎo)電接觸，再加上用Ge/Au/Ni/Au做成的歐姆接觸。探測(cè)器陣列采用的硅讀出電

注：響應(yīng)峰值為13.5 μm，截止波長(zhǎng)為15.4 μm。
圖1在溫度為55 K時(shí)的響應(yīng)率曲線
Fig.1Responsivity spectrum at temperature 55 K
圖2在偏壓為-2.5 V時(shí)的探測(cè)率曲線
Fig.2Detectivity as a function of temperature
at bias voltage -2.5 V

圖3在偏壓為-2.5 V時(shí)的噪聲等效溫差曲線
Fig.3Noise equivalent temperature difference as a function of temperature at bias voltage -2.5 V

路是CMOS/CCD多路轉(zhuǎn)換器，它們之間也是通過(guò)銦柱連接起來(lái)，形成混合結(jié)構(gòu)。俄羅斯研制的這個(gè)128×128 MQWIRFPA的工作溫度范圍為45~65 K。在工作溫度為54 K和65 K時(shí)，它的NEDT分別為0.021 K和0.06 K。
4雙色MQWIRFPA研制實(shí)例［3，7~9］
在美國(guó)陸軍研究實(shí)驗(yàn)室的領(lǐng)導(dǎo)下，美國(guó)BAE系統(tǒng)公司在研制雙色MQWIRFPA方面居世界領(lǐng)先水平。該公司是在直徑為762 cm（3英寸）的GaAs襯底上，用MBE技術(shù)制造320×240雙色MQWIRFPA。實(shí)際結(jié)構(gòu)包括2個(gè)MQW區(qū)域，由重?fù)诫s歐姆接觸層把它們分隔開。320×240長(zhǎng)波（LW）MQWIRFPA在上層，320×240中波（MW）MQWIRFPA在下層。實(shí)際制作時(shí)，是在未摻雜的GaAs襯底上依次外延重?fù)诫sSi的GaAs歐姆層作為MWMQWIRFPA的引出線；MWMQWIRFPA，重?fù)诫sSi的GaAs歐姆層作為2個(gè)探測(cè)器陣列共用引出線；LWMQWIRFPA，重?fù)诫sSi的GaAs歐姆層作為L(zhǎng)WMQWIRFPA的引出線。LWMQWIRFPA區(qū)域是20個(gè)周期的GaAs/ AlGaAs多量子阱結(jié)構(gòu)。MWMQWIRFPA區(qū)域是20個(gè)周期的In GaAs/Al GaAs多量子阱結(jié)構(gòu)，其中In GaAs為勢(shì)阱，Al GaAs為勢(shì)壘。2個(gè)區(qū)域中的GaAs勢(shì)阱和In GaAs勢(shì)阱都摻Si。用作勢(shì)壘的Al GaAs未摻雜，厚度為550~600。
最后是把2個(gè)單色探測(cè)器與一個(gè)640×480 CMOS讀出電路結(jié)合在一起構(gòu)成混合結(jié)構(gòu)。640×480 CMOS讀出電路是由洛克希德·馬丁公司研制的。按照設(shè)計(jì)，這個(gè)雙色MQWIRFPA的MWIR響應(yīng)峰值位于波長(zhǎng)為4.7 μm處，LWIR響應(yīng)峰值是位于波長(zhǎng)為8.6μm處。
圖4給出測(cè)量得到的320×240雙色MQWIRFPA的光譜響應(yīng)曲線。從圖中可見，MWIR響應(yīng)峰值所處的波長(zhǎng)位置比設(shè)計(jì)預(yù)計(jì)的波長(zhǎng)值要大些。這使得MWIR響應(yīng)有相當(dāng)部分處于3~5 μm大氣傳輸窗口之外。下一步，BAE系統(tǒng)公司將采用InP代替GaAs作為襯底，并采取其他有關(guān)措施，可以解決這個(gè)問(wèn)題。
雙色MQWIRFPA的LWIR探測(cè)器的工作溫度最好不超過(guò)65 K，MWIR探測(cè)器的工作溫度最好不超過(guò)95 K。在工作溫度低于65 K的情況下，2個(gè)波段探測(cè)器的NEDT值相近，在30和40 mK之間。工作溫度只要不超過(guò)95 K，MWIR探測(cè)器的NEDT值仍然維持在這個(gè)范圍之內(nèi)。
參考文獻(xiàn)：
［1］王子濱制造半導(dǎo)體器件的能帶工程［J］系統(tǒng)工程與電子技術(shù)，1989，（11）：15-19.圖4雙色MQWIRFPA的歸一化響應(yīng)率曲線
Fig.4Normalized response spectrum for
the dualband MQWIRFPA
［2］王子濱，李輝國(guó)外多量子阱紅外焦平面陣列研制情況［A］全國(guó)光電技術(shù)學(xué)術(shù)交流會(huì)論文集［C］昆明：《紅外與激光工程》編輯部編輯出版，1990309-314.
［3］Beck W ACurrent status of QWFPA［C］ SPIE,Vol.2 744,1996，193-206.
［4］Bandara S VTwo dimensional periodic grating light coupling in quantum well infrared photodetectors［C］ SPIE, Vol. 3 061,1997，758-763.
［5］Gunapale S D10~16μm broadband 640×512 QWIRFPA［C］ SPIE, Vol. 4 369, 2001，516-523.
［6］Ovsyuk V NIR photodetectors arrays based on HgCdTe films and GaAs/AlGaAs MQW［C］SPIE, Vol. 4 369, 2001，86-93.
［7］Goldberg A CComparison of HgCdTe and dual band MQWIRFPA［C］ SPIE, Vol. 4 369, 2001，532-546.
［8］Cabanski W Third generation IRFPADM at AIM［C］SPIE,Vol. 4369,2001，547-558.
［9］Goldberg A CComparison of HgCdTe and qnantum well infrared photodetector dualband focal plane arrays［J］ Optical Engineering,2003,(1)2006年2月〖〗第34卷第1期現(xiàn)代防御技術(shù)〖〗MODERN DEFENCE TECHNOLOGYFeb. 2006〖〗Vol.34No.1